4

Автор(ы): Dusha, Ute Kaiser (Uni Jena, Germany)

Кристаллик Ge в матрице 4H-SiC. Образец получен в университете г.Йена путем ионной имплантации и последующего отжига. Изображение получено на микроскопе JEM-3010 в зоне [2 -1 -1 0] матрицы. Особенности контраста кристаллика позволяют говорить о том, что он имеет гексагональную упаковку и ориентирован направлением [0001] вдоль пучка.

Исследование этой системы методом спектроскопии потерь энергии электронов (EELS) в области малых потерь (0-5эВ) показало, что ширина запрещенной зоны квантовой точки изменяется, подстраиваясь под ширину зоны матрицы (quantum confinement).

Источник: Нанометр